Descrição
Mosfet Si2302 A2SHB Canal N SOT23
Principais Aplicações do si2302 A2SHB: Por apresentar uma Resistência muito baixa entre Dreno e Source com tensão de Gate baixa (Rds de 58 mΩ) é ideal para uso em desbloqueio de consoles switch ns v1/v2, switch lite, switch oled e Arduíno.
The mosfet si2302 A2SHB uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 0.65V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching applications.
N-Channel MOSFET Si2302 A2SHB em encapsulamento SOT23
- Maximum Power Dissipation (PD): 1.25W
- Maximum Drain-Source Voltage (VDS): 20V
- Maximum Gate-Source Voltage (VGS): 8V
- Maximum Gate-Threshold Voltage (VGS – TH): 1.2V
- Maximum Drain Current (Id): 2.3A
- Maximum Junction Temperature (Tj): 150°C
- Rise Time (tr): 36 nS
- Drain-Source Capacitance (Cd): 115 pF
- Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.085 Ohm
- Surface Mount Package: SOT23
